收藏本站
Si4466DY
Vishay Siliconix
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
20
R DS(on) ( Ω )
0.009 at V GS = 4.5 V
0.013 at V GS = 2.5 V
I D (A)
13.5
11
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
SO-8
S
1
8
D
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
G
Top View
Ordering Information: Si4466DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4466DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
20
± 12
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
13.5
10.5
50
9.5
7.5
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
2.7
1.36
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.0
1.9
- 55 to 150
1.5
0.95
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
33
70
16
42
84
21
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
Document Number: 71820
S09-0767-Rev. F, 04-May-09
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4470EY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
SI4472DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
SI4477DY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4483EDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4484EY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
SI4488DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 8-SOIC
SI4505DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 8-SOIC
SI4532DY MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
相关代理商/技术参数
SI4467-A2A-IM 功能描述:IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 142MHz ~ 1.05GHz 20-WFQFN Exposed Pad 制造商:silicon labs 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM < 1GHz 协议:- 调制:4FSK，4GFSK，FSK，GFSK，OOK 频率:142MHz ~ 1.05GHz 数据速率（最大值）:1Mbps 功率 - 输出:12.5dBm（最小值） 灵敏度:-133dBm 存储容量:- 串行接口:SPI GPIO:4 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.8 V 电流 - 接收:10.9mA ~ 13.7mA 电流 - 传输:18mA ~ 24mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490
SI4467DY 功能描述:MOSFET SO8 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4467DY 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
SI4467DY_SBAA005A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
SI4467DY-E3 功能描述:MOSFET 12V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4467DY-T1 功能描述:MOSFET 12V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4467DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4468-A2A-IM 功能描述:IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 142MHz ~ 1.05GHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:silicon labs 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:通用 ISM < 1GHz 协议:- 调制:4FSK，4GFSK，FSK，GFSK，OOK 频率:142MHz ~ 1.05GHz 数据速率（最大值）:1Mbps 功率 - 输出:20dBm（最小值） 灵敏度:-133dBm 存储容量:- 串行接口:SPI GPIO:4 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.8 V 电流 - 接收:10.9mA ~ 13.7mA 电流 - 传输:44.5mA ~ 88mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 标准包装:490